薄膜晶體管的物理緊湊模型

嘉賓簡介：

Prof. Benjamin Iñiguez

西班牙，羅維拉∙威爾吉利大學（Universitat Rovira i Virgili，URV），電子工程系教授。

主要從事先進半導體器件的CAD數值建模與參數 提取技術研究 ， 包 括 MOSFETs 、HEMTs、TFTs等。多次獲得西班牙（加泰羅尼亞政府）高校科研進步獎、ICREA 學術獎。IEEE Fellow，IEEE EDS第八區副主席、IEEE TED編輯、IEEE EDS緊湊模型技術委員會主席等。

報告時間：2022年4月12日（星期二）

騰訊會議：636 823 070

主 持 人：廖蕾 教授

主辦單位：半導體（集成電路）學院、物理與微電子科學學院

報告摘要：

薄膜晶體管（TFTs）是大面積電子中必不可少的器件，特别是在有源矩陣液晶顯示領域（AMLCDs）。随着物聯網的興起、柔性印刷及可伸縮電子的發展，推動薄膜晶體管的廣泛應用。目前或未來TFTs的應用方向包括有源矩陣顯示器、成像儀、射頻識别與可穿戴傳感系統等。此外，針對不同材料的有源層，可将TFTs打印在可生物降解的基材上，從而實現可持續發展的技術。

精确緊湊的薄膜晶體管建模是TFTs電路設計的必備要求。不同類型的TFTs，包括非晶矽、多晶矽、單晶矽、有機與氧化物半導體等。每種材料有其特定的物理特性與現象，進而影響器件行為。針對不同類型的TFTs，我們提出相關物理效應的模型，讨論材料、界面性質、靜電、電荷與熱傳輸。最後，我們提出了适用于電路設計的物理緊湊模型，以及目标參數提取方法。

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