主講人:孫健,中南大學特聘教授
時 間:2022年5月25日 15:00
地 點:物電學院A棟112
聯系人:廖蕾
講座摘要:
随着摩爾定律達到物理極限,傳統矽基CMOS晶體管由于短溝道效應等物理規律和制造成本的限制,正面臨發展瓶頸。二維材料由于其原子層級厚度使得栅極對其溝道的調控大大加強,因而可以有效克服短溝道效應。本次報告将介紹二維半導體材料帶給我們的機遇并總結基于二維半導體的電子器件開發面臨的技術問題,主要介紹我們課題組在近期在二維半導體中載流子輸運特性的界面調控性質的相關研究進展,主要包括面向新型電子器件構築的表面電荷轉移摻雜調控和鐵電範德華異質界面的調控。
主講人簡介:
孫健,中南大學物理與電子學院特聘教授,日本國立理化學研究所(RIKEN)訪問科學家,IEEE高級會員。2008年上海交通大學學士。2013年沙特阿蔔杜拉國王科技大學電子工程博士。2013-2018在日本北陸先端科技大學,RIKEN從事研究工作。研究專注于新原理電子信息功能原型器件的研究工作,涉及微納電子學、器件物理等。在Science Advances,Nano Letters,APL,ACS Nano,Advanced Materials, Advanced Functional Materials, IEEE EDL等國際SCI期刊以通訊作者發表通學術論文40餘篇。擔任IEEE Sensors、Intermag等國際知名會議學術委員會成員。