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超臨界流體在半導體器件及材料中的應用

2022-07-04 15:24 浏覽次數:

主講人:張冠張,北京大學深圳研究生院

Email: kcchang@pkusz.edu.cn

時間:2022年7月6日下午14:00

地 點:物電院A112

聯系人:廖蕾


報告摘要:

随着摩爾定律放緩,電子器件和芯片在性能上的提升愈加困難,面對器件對高性能和低功耗的迫切需求,報告人張冠張老師将綠色低溫超臨界流體引入電子領域,利用交叉學科的研究背景,深入開展了超臨界流體與電子器件和材料之間的一系列研究,成功修複包括阻變存儲器、薄膜晶體管、第三代半導體器件、二維電子器件、碳納米管器件等多種器件内部缺陷,有效改善器件的電學、光學特性;在低溫下成功去除各類聚合物材料、生物材料中的小分子雜質,提升材料和薄膜的電學和光學品質。研究主題不僅緻力于創新性,同時兼顧綠色環保和可持續發展。

本報告将從電子器件及材料所面臨的瓶頸和所需解決的問題出發,介紹超臨界流體的特點和技術應用,重點闡述已開發的多種超臨界流體技術(包括氧化、碳化、脫羟、提純等)及其在各類電子器件和材料上的研究進展,并進一步探讨超臨界在神經形态器件、生物材料及器件等領域的應用,報告最後将對超臨界流體的應用發展做出展望。

個人簡介:

北京大學助理教授,2014年于國立中山大學(中國台灣)獲得博士學位,2017年加入北京大學深圳研究生院,研究領域包括:新型存儲器與類腦計算、生物電子、超臨界流體等,先後主持國家自然科學基金委、廣東省自然科學基金委、深圳市科創委等項目。迄今發表SCI論文110餘篇,其中以第一/通訊作者在Advanced Functional Materials, Materials Today, Materials Horizons, IEEE EDL, IEDM等重要期刊和國際會議上發表論文40餘篇,引用2400餘次,已授權國内外專利50多項。擔任AFM、APL、EDL等多個國際期刊審稿人,IEEE高級會員。