後湖論壇：半導體摻雜與缺陷物理

報告時間：2023年10月22日（周日）上午10：00

報告地點：長沙半導體技術與應用創新研究院3樓C312

主講人：鄧惠雄，中國科學院半導體研究所，北京，100083，Email:hxdeng@semi.ac.cn

聯系人：黎博,副教授

報告摘要：材料從導電性可分為金屬、半導體、和絕緣體。金屬總是導電，絕緣體總是不導電，二者不具有人為的可控性。然而，半導體由于其導電性和導電類型具有可控性，因此成為了當今信息科學技術基礎材料。但是，純淨的半導體材料并不具有良好的導電性，必須進行摻雜和缺陷控制後才能調控其導電性和導電類型，從而制備出優良的微電子和光電子器件。因此，摻雜與缺陷控制是半導體科學技術的核心之一。在本報告中，我們将圍繞半導體中的摻雜與缺陷相關問題展開讨論，主要包括：低維半導體、寬禁帶半導體中的缺陷與摻雜物理、熱力學非平衡摻雜與缺陷物理，器件中的缺陷調控等等。

主講人介紹：鄧惠雄，博士，研究員，國科大崗位教授，博士生導師。2010年畢業于中國科學院半導體研究所。2011年至2014年初，在美國再生能源國家實驗室(NREL) 從事博士後研究。2014年2月回到中科院半導體所半導體超晶格國家重點實驗室。2019年獲得國家自然科學基金委優秀青年科學基金資助，2021年入選中科院青促會優秀會員。長期從事半導體物理、半導體缺陷物理、半導體材料與器件的物性探究與設計等領域的研究工作。迄今已經在Science、Nature Energy、Nature Comm.、Phys. Rev. Lett.、Adv. Mater.、Phys. Rev. X、Phys. Rev. B等期刊上發表SCI論文90多篇。