後湖論壇：碳化矽功率芯片關鍵技術與産業化

報告時間：2023年12月14日（星期四），下午15：00

報告地點：長沙半導體技術與應用創新研究院一樓報告廳

聯系人：黎博

報告摘要：碳化矽是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。相比傳統的矽材料，碳化矽的禁帶寬度是矽的3倍；導熱率為矽的4-5倍；擊穿電壓為矽的8-10倍；電子飽和漂移速率為矽的2-3倍；是最有應用前景的第三代半導體材料。碳化矽功率器件被廣泛應用在電動汽車/充電樁、光伏新能源、軌道交通及智能電網領域，随着5G，新能源汽車，光伏發電和軌道交通的發展，碳化矽器件市場規模将快速增長。本報告，主要向大家介紹碳化矽外延生長、MOSFET功率芯片生産中所面臨的一些關鍵技術問題，以及碳化矽産業在商業化發展的過程中面臨的機遇與挑戰。

主講人介紹：李京波，浙江大學求是特聘教授、博士生導師。浙江芯科半導體有限公司創始人、董事長。2009年獲國家JQ基金、2015年入選中組部“WR計劃”，2017年獲國家自然科學二等獎（排名第一）、安徽省科技進步一等獎（排名第一）、江西省自然科學一等獎（排名第一），“西湖明珠頂尖人才計劃”團隊帶頭人；在Nature、Nature Materials等國際著名期刊發表SCI論文370餘篇，SCI他引超過2.5萬次，入選2017-2022科睿唯安高被引學者榜單；獲授權發明專利60餘項，科技成果轉化超20億元。主要研究方向為半導體摻雜機制、光電材料與器件、二維半導體器件等。