後湖論壇：Si基GaN器件及系統研究

報告時間：2023年12月28日（星期四）15：00-16：00

報告地點：長沙半導體技術與應用創新研究院C312

聯系人：何鵬輝

報告摘要：以GaN為代表的第三代半導體材料及器件具有優良的高溫、高壓及高頻特性，被認為是下一代電力電子和微波射頻技術的核心。歐美日等均将第三代半導體納入國家發展戰略規劃，中國第三代半導體産業亦形成了以長三角、珠三角、中西部地區等為代表的産業集群。近年來，報告人在Si基GaN器件及其系統應用方向取得了系列研究成果：1）先進Si基GaN器件工藝研發：超低阻源漏歐姆接觸、低損傷GaN刻蝕技術、鈍化層應力工程、再生長技術、器件可靠性、栅介質層和表面處理等；2) GaN功率器件及電源系統開發：實現高性能級聯型GaN器件，結合PFC技術，開發300-4000 W的高效工業電源，效率高達99.1%，針對P-GaN帽栅器件和新型再生長凹栅常關型器件開展系統研究；3) GaN射頻器件及5G小基站射頻前端：創新鈍化層應力工程技術，實現免刻蝕常關型GaN射頻器件，開發應用于微小基站的高回退效率Doherty功率放大器。4）GaN氣體傳感器：可在高溫環境中實現對CO, H₂S, H₂等氣體及顆粒物的高靈敏度探測，并結合AI算法實現智能高集成度傳感。

主講人介紹：汪青博士，南方科技大學深港微電子學院研究教授、研究員，博士生導師，深圳市高層次人才，IEEE EDS Power Devices and ICs委員會委員，主要研究方向為GaN功率和射頻器件，設計和制備适用于5G通訊、智能電網等領域的GaN基器件及系統。先後主持了國自然青年基金、廣東省自然科學基金青年提升項目、廣東省科技計劃項目、深圳市基礎研究重點和面上項目等科研項目10餘項，面向國家需求與國内龍頭企業開展聯合實驗室和橫向項目合作，累計發表SCI/EI論文50餘篇。授權/申請國内發明專利40餘項和PCT專利5項，參與制定1項行業标準和2項團體标準，獲得中國發明協會發明創業獎創新獎二等獎。